Electronic Research Laboratory, University of California at Berkeley, CA 94720;
chemically amplified resist; double exposure; scanning electron microscopy; line edge roughness; LER; lithography; imaging, contrast; aerial image contrast; background contrast; flare;
机译:纳米CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第一部分–建模和仿真方法
机译:纳米级CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第二部分-实验结果及其对器件可变性的影响
机译:极紫外光刻中淬灭剂扩散常数与线宽,线边缘粗糙度和随机缺陷产生的暴露剂量依赖性之间的关系
机译:线边缘粗糙度(LER)对65 nm以下晶体管操作的集成仿真:从光刻模拟到LER计量学再到器件操作
机译:减少类似干涉的大场光刻中的线边缘粗糙度(ler)。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:基于机器学习(ML)的模型,以表征线边缘粗糙度(LER) - 诱导FinFET的随机变化