Institute of Microelectronics, NCSR 'Demokritos', Aghia Paraskevi Athens 15310 Greece;
机译:纳米CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第一部分–建模和仿真方法
机译:长周期线边缘粗糙度(LER)对临界尺寸(CD)测量精度的影响以及CD计量学的新准则
机译:电子束光刻技术引起的线边缘粗糙度对50 nm技术的N型金属氧化物半导体晶体管电特性影响的三维模拟
机译:线边缘粗糙度(LER)效果的集成模拟对SUB-65 NM晶体管操作:从光刻模拟,LER计量到设备操作
机译:下一代光刻的线边缘粗糙度研究:碳纳米管在数百纳米图案测量中的应用。
机译:适应不同环境运行条件的光伏能量采集系统:设备的分析建模仿真和选择
机译:基于轨迹的轨迹集成RPA运算的LOOP仿真分析