Atomic Layer Deposition: An Enabling Technology for Microelectronic Device Manufacturing

机译：原子层沉积：微电子器件制造的一项使能技术

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Atomic layer deposition (ALD) recently emerged as an enabling technology for microelectronic device fabrication. This technique provides the unique capability to deposit ultra thin films with the thickness control, uniformity, step coverage, and electrica

机译：原子层沉积（ALD）最近成为一种微电子器件制造的使能技术。该技术具有厚度控制，均匀性，台阶覆盖和电沉积的独特能力，可沉积超薄膜。

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来源
《Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 2007 IEEE/SEMI》|2007年|P.359-365|共7页
会议地点 StresaItaly
作者
Fourmun Lee; Marcus; S.; Shero; E.; Wilk; G.; Swerts; J.; Maes; J.W.; Blomberg; T.; Delabie; A.; Gros-Jean; M.; Deloffre; E.;
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作者单位

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会议组织
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正文语种
中图分类
关键词
DRAM chips; atomic layer deposition; capacitors; magnetic heads; nanoelectronics; semiconductor device manufacture; thin film devices; ALD processing; DRAM stack capacitors; atomic layer deposition technology; electrical properties; gate stack deposition; mechanical;

机译：DRAM芯片；原子层沉积；电容器;磁头纳米电子学半导体器件制造；薄膜器件； ALD加工； DRAM堆栈电容器；原子层沉积技术；电性能；栅极堆叠沉积；机械;

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