Semiconductor Physics Research Center/Department of Semiconductor Science Technology, Chonbuk National University, Dukjin-dong, Dukjin-gu, Chonju, Chonbuk 561-756, Korea;
AlGaN; crack; dislocation; MOCVD; PSS; wet etching;
机译:在通过湿法刻蚀制成的V槽蓝宝石衬底上生长的近紫外LED的结构和光学特性
机译:通过湿法化学刻蚀在图案化的蓝宝石衬底上的GaN膜横向外延生长
机译:通过横向外延生长和湿法化学刻蚀从蓝宝石衬底上生长和分离高质量GaN外延层
机译:通过湿法化学刻蚀在V槽蓝宝石衬底上通过侧向外延生长低缺陷AlGaN
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:通过氢化物气相外延减少在纳米级蓝宝石衬底上生长的AlGaN中的缺陷
机译:利用胶体自组装和湿法化学刻蚀制造火山形纳米图案蓝宝石衬底
机译:蓝宝石和氢化物气相外延衬底上Er掺杂GaN的生长和形貌