Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS/UJF-Grenoblel/CEA LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS/UJF-Grenoblel/CEA LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS/UJF-Grenoblel/CEA LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS/UJF-Grenoblel/CEA LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS/UJF-Grenoblel/CEA LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
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Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS/UJF-Grenoblel/CEA LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
Directed Self-Assembly; PS-b-PDMS; graphoepitaxy; plasma etching; silicon nanostructures;
机译:在193和248 nm光刻胶材料的短时等离子体蚀刻过程中等离子体表面相互作用的研究
机译:在通孔蚀刻中通过向碳氟化合物等离子体中加入H_2抑制193 nm光刻胶变形
机译:各种等离子体预处理对193 nm光刻胶和蚀刻后线宽粗糙度的影响
机译:低压等离子体刻蚀过程中193 nm和248 nm光刻胶材料的表面改性研究
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:在SU-8光刻胶上的聚吡咯上使用电沉积硅制造视网膜假体测试装置
机译:通过PS-b-P4VP嵌段共聚物的定向自组装和金属氧化物增强的图案转移来排列硅纳米鳍
机译:氟碳等离子体中二氧化硅和光刻胶蚀刻的表征