擬単結晶シリコンにおけるΣ3結晶粒の発達と転位クラスターの生成の関係

机译：伪单晶硅中Σ3晶粒发展与位错簇形成的关系

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多結晶シリコン中に導入される転位クラスターは成長方向に伝搬し，インゴット上部では広範囲に広がる．本研究では多結晶シリコンの結晶成長中に非常に低エネルギーで大量に導入されるΣ3 粒界の発達と転位クラスター発生の関係を調べた．試料としてシード単結晶によって[001]方向にキャスト成長した擬単結晶シリコンインゴットを用いた．

机译：引入到多晶硅中的位错簇在生长方向上传播并在晶锭的上部广泛传播。在这项研究中，我们研究了Σ3晶界的发展与位错簇的产生之间的关系，这些位错簇是在多晶硅的晶体生长过程中以极低的能量大量引入的。作为样品，使用通过籽晶单晶在[001]方向上铸造生长的伪单晶硅锭。

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来源
《2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2019年|13.007|共1页
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作者
小島拓人; 田島和哉; 松本哲也; 工藤博章; 宇佐美徳隆;
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