NMOS结构中形成位错增强的应变的方法

摘要

说明了利用布置在源极结构/漏极结构中的位错形成应变沟道器件的方法。这些方法和结构可以包括在包括硅的器件的源极开口/漏极开口上形成薄硅锗材料，其中，在所述硅锗材料中形成多个位错。在所述薄硅锗材料上形成源极材料/漏极材料，其中，所述位错在器件的沟道区中引起拉伸应变。