Na フラックスGaN バルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析

摘要

パワーデバイス用基板応用に向けたGaN 結晶の更なる高品質化のためには、転位における漏れ電流発生機構の解明が最重要課題である。これまでに我々は、Na フラックス成長させたGaN 結晶の大部分を占めるc 面成長領域（cGS）上の転位では漏れ電流が抑制される一方で、局所的に存在する微小斜め面成長領域（μ-FGS）上の転位では漏れ電流が発生し、その電気特性が転位構造によって異なることを見出した。今回、単独転位のバーガースベクトル成分と電気特性を複合的に解析し、その関連性を調査した。