透過Ｘ線回折によるシリコン上のビスマス薄膜成長と界面構造のリアルタイム観察

摘要

基板結晶上の結晶成長の様子や表面・界面構造を非破壊で評価する手法として、我々が開発した透過Ｘ線回折による方法を紹介する。本手法では、放射光X 線を厚さ数ミクロン程度の薄い基板試料表面に垂直入射し、透過した回折パターンを測定することで、基板結晶のブラッグ反射より10 桁程度強度の弱い表面回折・散乱を従来法の10 倍以上の高効率で計測することができる。広い逆空間、特に面内方向を一度に観察できるため、汚染されやすく寿命の短い表面超構造や結晶成長の素過程観察など迅速な計測が要求される系の観察に適した手法である。