首页> 外文会议>2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >CeF_3薄膜を用いた紫外光センサの真空中アニール処理による欠陥制御
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CeF_3薄膜を用いた紫外光センサの真空中アニール処理による欠陥制御

机译:使用CeF_3薄膜通过紫外光传感器的真空退火控制缺陷

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摘要

これまでに我々は光センサ材料として紫外光照射に対して高い耐久性がありワイドバンドギャップ材料であるフッ化物を用いて薄膜を作製し光センサの開発を進めてきた。これまでの研究から作製した薄膜には成膜中に生じたと考えられる欠陥が無数に存在していることが示唆されており、それらがセンサ性能に影響を及ぼしていると考えられる。デバイスの分野では欠陥を制御する手法としてポストアニール処理が数多く報告されている。本発表ではパルスレーザー堆積法で作製した CeF3薄膜に真空中でアニール処理を施すことによる薄膜品質及びセンサ性能への影響を評価したのでこれを報告する。
机译:到目前为止,我们已经通过使用氟化物形成薄膜来开发光学传感器,氟化物是一种宽带隙材料,并且作为光学传感器材料具有对紫外线辐射的高耐久性。从先前的研究中已经提出,所产生的薄膜具有无数的缺陷,据认为在膜形成期间已经发生了这些缺陷,并且认为这些缺陷会影响传感器的性能。在器件领域,已经报道了许多退火后处理作为控制缺陷的方法。在此演示文稿中,我们报告了在真空中对通过脉冲激光沉积方法生产的CeF3薄膜进行退火对薄膜质量和传感器性能的影响。

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