銅上CVD グラフェンにおけるTa 誘起局所核生成のメカニズム

摘要

化学気相成長(CVD)法で得られるグラフェンは多結晶であり、グラフェンの電子易動度は結晶粒界により低下する。グラフェンの伝導性を向上するためには、核生成を抑制して大面積の単結晶ドメインを得る必要がある。近年、Cu 基板に穴空きのNi 箔を配置するだけの簡便な手法によるグラフェンの核生成制御法が報告された[1]。これはNi 箔付近で局所的に炭素濃度が低下することを利用した核生成位置の制御と考えられる。前回の発表で、グラフェン成長基板となるCu 上にタンタル(Ta)板を置くことで、核生成が局所的に増加する現象を報告した[2]。本研究では、このTa によるグラフェンの局所核生成のメカニズムについて報告する。