【24h】

Growth of Phosphorus-Doped 6H-SiC Single Crystals by the Modified Lely Method

机译:改进的Lely法生长掺磷6H-SiC单晶

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摘要

A solid phosphorus source is used to dope 6H-SiC single crystals with phosphorus donors during the sublimation growth. Several characterization techniques are applied to detect the incorporated phosphorus content.
机译:固态磷源用于在升华生长过程中用磷供体掺杂6H-SiC单晶。应用了几种表征技术来检测结合的磷含量。

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