Department of Electrical Engineering, National Cheng-Kung University, 1 University Road, Tainan, Taiwan 70101, Republic of China;
机译:新颖的InP / InAlGaAs负差分电阻异质结双极晶体管(NDR-HBT),具有有趣的拓扑形状的电流-电压特性
机译:新型双基极差分电阻异质结双极晶体管的设计与制作
机译:具有多个负微分电阻开关的功能性InGaP / GaAs双异质结发射极双极晶体管
机译:一种新型功能负差分电阻异质结双极晶体管(NDR-HBT)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高效光伏转换的三端异质结双极晶体管太阳能电池
机译:异结双极晶体管:具有高电流扩增的2D基于材料的垂直双相杂交双极晶体管(ADV。电子。Matter。3/2019)
机译:用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。