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机译:新颖的InP / InAlGaAs负差分电阻异质结双极晶体管(NDR-HBT),具有有趣的拓扑形状的电流-电压特性
机译:基于InP / InAlGaAs的异质结双极晶体管和发光晶体管中Zn扩散的控制
机译:具有钝化壁架的0.25μm发射极InP / InAlGaAs / GaAsSb双异质结双极晶体管的电流增益超过100
机译:具有阶梯式InAlGaAs集电极结构的新型InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:一种新型功能负差分电阻异质结双极晶体管(NDR-HBT)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:大孔硅/ SiOx / SnO2:F异质结中的电流-电压特性
机译:氮化硅侧壁辅助自对准Inp / InGaas异质结双极晶体管的特性
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。