Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR CNRS 5650, Université Montpellier II, 34095rnMontpellier cedex France;
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR CNRS 5650, Université Montpellier II, 34095rnMontpellier cedex France;
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR CNRS 5650, Université Montpellier II, 34095rnMontpellier cedex France;
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR CNRS 5650, Université Montpellier II, 34095rnMontpellier cedex France;
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR CNRS 5650, Université Montpellier II, 34095rnMontpellier cedex France;
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02668 Warsaw Poland;
机译:由于嵌入了深台阶层,增强了调制掺杂的Al_xGa_(1-x)As / In_yGa_(1-y)As / GaAs量子阱中活化能的增强
机译:红外照射前后n-InGaAs / GaAs异质结构中的量子霍尔平台-平台跃迁
机译:具有双量子阱的n-InGaAs / GaAs纳米结构中量子霍尔效应平台-平台跃迁的电子-电子相互作用和临界指数的普遍性
机译:GaAs 2des磁性磁性磁性磁性磁场分散的平台
机译:分析生长和退火的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs量子阱中的霍尔迁移率
机译:分析生长和退火的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs量子阱中的霍尔迁移率
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压