College of Nanoscale Science and Engineering, University at Albany, Albany, NY USA 12203;
SEMATECH, 2706 Montopolis Drive, Austin, TX USA 78741;
extreme ultraviolet lithography; EUV; photoresist; outgassing; mass spectrometer;
机译:从EUV金属氧化物纳米粒子抗蚀剂在电子照射期间产生的原位测量
机译:EUV金属氧化物纳米粒子在电子辐照过程中产生的脱气的原位测量
机译:从Euv抗蚀剂产生的除气的原位测量包括在电子照射过程中的金属氧化物纳米粒子
机译:EUV抗蚀剂分配的定量测量
机译:极高的紫外线抗蚀剂除气作用及其对附近光学器件的影响。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV和EB之间的抵抗家庭分散特征的比较