Electronics Instrumentation Engineering Department, SGSITS, Indore (M.P), India;
Electronics Instrumentation Engineering Department, SGSITS, Indore (M.P), India;
Threshold voltage; MOSFET; Temperature sensors; Generators; Temperature measurement; CMOS technology;
机译:具有亚阈值MOSFET的低功耗CMOS参考电压电路
机译:以阈值电压为参考的无待机电流的上电复位脉冲发生器
机译:使用功率MOSFET设计纳秒级高压脉冲发生器
机译:使用子阈值MOSFET的纳米电源电压参考生成器
机译:阈值电压不稳定性对碳化硅mosfet可靠性的原因和影响
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:CMOS电压和电流参考电路由亚阈值MOSFET组成 - 用于电源感知LSI应用的MicroPower电路组件 -
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究