Micro- and Nano-electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Unska 3, 10000 Zagreb, Croatia;
Micro- and Nano-electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Unska 3, 10000 Zagreb, Croatia;
Micro- and Nano-electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Unska 3, 10000 Zagreb, Croatia;
Stress; Silicon carbide; Standards; Integrated circuit reliability; Degradation; Hot carriers;
机译:更正水平电流双极晶体管(HCBT)–一种低成本,高性能,灵活的BICMOS技术,适用于RF通信应用
机译:水平电流双极晶体管(HCBT)–一种低成本,高性能,灵活的BICMOS技术,用于RF通信应用
机译:用于BiCMOS与FinFET集成的低成本水平电流双极晶体管(HCBT)技术
机译:具有低成本高性能水平电流双极晶体管(HCBT)的RF通信电路的创新双极-CMOS集成
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:构建集成临床信息的医学多媒体数据库系统:高性能计算和通信技术的应用。
机译:根据电路速度,硅面积和高性能数字电路模块的漏电流睡眠晶体管尺寸