Electronics and communication Dept. NIT Hamirpur;
Electronics and communication Dept. NIT Hamirpur;
Tunneling; Logic gates; TFETs; Threshold voltage; Doping; MOSFET; Silicon;
机译:完全耗尽GE双栅极N型隧道场效应晶体管,用于改进导通电流和子阈值摆动
机译:基于双栅极金属 - 氧化物半导体场效应晶体管的电容无电动随机接入存储器,具有Si / SiGe异质结和下划线结构,提高感测余量和保留时间
机译:具有双顶栅和双反馈的石墨烯场效应晶体管电流源
机译:关于双栅极隧道场效应晶体管的电流改进技术
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:极短场效应晶体管中氧化铁屑感应电流的改进