Hong Kong Univ. of Sci. Technol., Kowloon, China;
机译:读/写余量增强的10T SRAM用于低压应用
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:前瞻性动态阈值电压控制可增强45 NM 7T-SRAM单元的写入容限
机译:具有增强读取和写入电压边距的低漏电9-CN-MOSFET SRAM单元
机译:8端口S-RAM存储单元,可同时进行8次写入或16次读取。
机译:IRF4基因调控模块充当读写整合子可动态协调T辅助细胞的命运
机译:用于低压应用的读/写边缘增强型10T SRAM