Microelectron. Nanotechnol. Div, Centre de Dev. des Technol., Algiers, Algeria;
NBTI; SILVACO 2D TCAD simulation; channel length; interface-trap; n- and p-MOSFET; oxide-trap;
机译:混合浅沟槽隔离对应力Si / SiGe沟道HfSiON / SiO_2 p沟道MOSFET的NBTI退化的机械应力效应的沟道长度依赖性
机译:NBTI和P沟道功率VDMOS晶体管中的辐射效应
机译:具有超高压应力的类金刚石碳衬里的P沟道晶体管的NBTI可靠性
机译:MOS晶体管中的NBTI效果取决于沟道长度吗?
机译:具有高铟摩尔分数量子阱通道的基于GaAs的变质高电子迁移率晶体管。
机译:掺硼石墨烯带对沟道长度对晶体管输运特性的影响
机译:N沟道EΔDCMOS晶体管的通道长度波动引起的漏极电流局部变化的统一模型
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)