ECE Department, SSN College of Engineering, Chennai, Indiac;
Bulk FinFET; Doping Profile; Isolation oxide thickness; TCAD;
机译:基于TCAD仿真的基于30 nm栅极长度FinFET的LNA优化栅源/漏重叠
机译:使用3D-TCAD模拟在基于SOI和基于体的无结FinFET中进行重离子辐照研究
机译:基于3D TCAD仿真的基于20nm FinFET和无结FinFET的6T-SRAM电路的栅极和漏极SEU灵敏度
机译:用TCAD模拟优化料料掺杂型材和分离氧化物厚度
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:通过3D TCAD模拟FD-SOI霍尔传感器的性能优化
机译:体FinFET的器件优化及其与SOI FinFET的比较
机译:退火和氧化层厚度对织构硅中“穿透氧化物”注入p sup +离子掺杂分布形状的影响。