Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China;
CeOx; RRAM; multilevel resistive switching;
机译:基于HfO2的纳米级RRAM器件中用于人工神经元和突触元件的阈值和多级电阻切换特性的双重功能
机译:统计方法研究双极型Cu / HfO _2 / Pt RRAM器件的RESET开关机制
机译:RRAM应用中Pt / CeOx / TiN结构的电阻转换特性及机理的研究
机译:AL / CEOX / PT RRAM设备中的多级设置/重置开关特性
机译:用于存储应用的基于丝的电阻开关RRAM器件
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:HFOX和Alox介电膜堆叠顺序对RRAM切换机构的影响,以表现数字电阻切换和突触特性