公开/公告号CN110556142A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201910477959.7
申请日2019-06-03
分类号G11C13/00(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2024-02-19 15:57:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20190603
实质审查的生效
2019-12-10
公开
公开
机译: 金属-绝缘体-半导体(MIS)电阻随机存取存储器(RRAM)(MIS RRAM)器件和MIS RRAM位单元电路,以及相关的制造方法
机译: 用于形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的多级电压(RRAM)单元
机译: 用于形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的多级电压(RRAM)单元