首页> 外文会议>2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference. >1.3-#x03BC;m-range InGaAs metamorphic laser for low power consumption operation
【24h】

1.3-#x03BC;m-range InGaAs metamorphic laser for low power consumption operation

机译:1.3μm范围的InGaAs变质激光器,低功耗运行

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摘要

We demonstrated a 1.3-μm-range metamorphic short cavity laser with a high characteristic temperature (T0=200K). The bias current for 10-Gbps modulation at high temperature was reduced and we revealed the potential for low-power consumption operation.
机译:我们展示了一个具有高特征温度(T0 = 200K)的1.3μm范围的变质短腔激光器。降低了高温下10 Gbps调制的偏置电流,我们发现了低功耗工作的潜力。

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