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2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.
2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.
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1.
Mode localization in defect-free GaN-based bottom-up photonic quasicrystal lasers
机译:
基于GaN的无缺陷自底向上光子准晶体激光器中的模式定位
作者:
Wu Tzeng-Tsong
;
Chen Chih-Cheng
;
Chen Hao-Wen
;
Lu Tien-Chang
;
Wang Shing-Chung
;
Kuo Cheng-Huang
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
2.
Narrow spectral linewidth surface grating DBR diode lasers
机译:
窄谱线宽表面光栅DBR二极管激光器
作者:
Coleman J. J.
;
Dias N. L.
;
Reddy U.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
3.
Fast polarization modulation in vertical cavity lasers with electrical RF injection
机译:
带有电射频注入的垂直腔激光器中的快速偏振调制
作者:
Barve Ajit V.
;
Zheng Yan
;
Johansson Leif
;
Mehta Alok
;
Husain Anis
;
Coldren Larry
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
4.
Extending lasing wavelength on InP with GaAsSb / GaInAs type-II active regions
机译:
通过GaAsSb / GaInAs II型有源区扩展InP上的激光波长
作者:
Sprengel Stephan
;
Vizbaras Kristijonas
;
Andrejew Alexander
;
Gruendl Tobias
;
Geiger Kathrin
;
Boehm Gerhard
;
Grasse Christian
;
Amann Markus-Christian
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
5.
Epitaxial-side-down-mounted interband cascade lasers
机译:
外延面朝下安装的带间级联激光器
作者:
Bewley William W.
;
Kim Chul Soo
;
Kim Mijin
;
Merritt Charles D.
;
Canedy Chadwick L.
;
Vurgaftman Igor
;
Abell Joshua
;
Meyer Jerry R.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
6.
Integrable single mode lasers based on slots
机译:
基于插槽的可集成单模激光器
作者:
Lu Qiaoyin
;
Guo Weihua
;
Abdullaev Azat
;
Nawrocka Marta
;
OCallaghan James
;
Lynch Michael
;
Weldon Vincent
;
Donegan John F.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
7.
Latest performance of GaN-based nonpolar/semipolar emitting devices
机译:
GaN基非极性/半极性发射器件的最新性能
作者:
Nakamura Shuji
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
8.
Photonic crystal nanoslot nanolaser for ultra-high sensitivity and selectivity protein sensing
机译:
光子晶体纳米缝隙纳米激光,用于超高灵敏度和选择性的蛋白质传感
作者:
Kita Shota
;
Hachuda Shoji
;
Otsuka Shota
;
Okamura Naoya
;
Isono Toshinari
;
Baba Toshihiko
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
9.
Diode lasers operating in spectral range from 1.9 to 3.5 #x03BC;m
机译:
光谱范围为1.9至3.5μm的二极管激光器
作者:
Shterengas L.
;
Kipshidze G.
;
Hosoda T.
;
Liang R.
;
Jung S.
;
Westerfeld D.
;
Belenky G.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
10.
Advances of VCSEL photonics
机译:
VCSEL光子学的进展
作者:
Koyama Fumio
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
11.
Tunable DFB laser array integrated with Mach-Zehnder modulators for 44.6Gbps DQPSK transmitter
机译:
集成了Mach-Zehnder调制器的可调谐DFB激光器阵列,用于44.6Gbps DQPSK发送器
作者:
Saito T.
;
Takiguchi T.
;
Takagi K.
;
Matsumoto K.
;
Sasahata Y.
;
Nagira T.
;
Sakuma H.
;
Suzuki D.
;
Makita R.
;
Takabayashi M.
;
Akiyama K.
;
Gotoda M.
;
Ishimura E.
;
Sugitatsu A.
;
Shimura T.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
12.
Two-dimensional conduction-band engineering for performance optimization of quantum cascade lasers
机译:
用于量子级联激光器性能优化的二维导带工程
作者:
Botez D.
;
Kirch J. D.
;
Shin J. C.
;
Chang C.-C.
;
Garrod T.
;
Mawst L. J.
;
Earles T.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
13.
Watt-level room temperature continuous-wave operation of quantum cascade lasers with #x03BB; #x003E;10 #x03BC;m
机译:
λ> 10μm的量子级联激光器的瓦特级室温连续波操作
作者:
Xie Feng
;
Caneau Catherine
;
LeBlanc Herve P.
;
Caffey David P.
;
Hughes Lawrence C.
;
Day Timothy
;
Zah Chung-en
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
14.
CMOS compatible planar integration of compact semiconductor laser diodes with waveguides on silicon
机译:
紧凑型半导体激光二极管与硅上波导的CMOS兼容平面集成
作者:
Famenini Shaya
;
Fonstad Clifton G.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
15.
Extremely compact transmitter optical sub-assembly for next-generation 10-km 100GbE transceivers
机译:
下一代10公里100GbE收发器的极其紧凑的发射器光学组件
作者:
Takahata K.
;
Fujisawa T.
;
Ohki A.
;
Kanazawa S.
;
Yamanaka T.
;
Sanjoh H.
;
Iga R.
;
Ishii H.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
16.
40-Gb/s/ch operation of 1.3-#x03BC;m four-wavelength lens-integrated surface-emitting DFB laser array
机译:
1.3μm四波长透镜集成面发射DFB激光器阵列的40 Gb / s / ch操作
作者:
Adachi K.
;
Shinoda K.
;
Kitatani T.
;
Kawamura D.
;
Sugawara T.
;
Tsuji S.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
17.
Carrier temperature and threshold current density of quantum dot lasers
机译:
量子点激光器的载流子温度和阈值电流密度
作者:
Hutchings M.
;
ODriscoll I.
;
Smowton P. M.
;
Blood P.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
18.
Hollow waveguide DBR lasers with novel 2D optical confinement toward athermal and narrow linewidth operations
机译:
具有新型2D光学限制的空心波导DBR激光器,适用于无热和窄线宽操作
作者:
Yamakawa Hideaki
;
Akutsu Tomohiro
;
Sakaguchi Takahiro
;
Koyama Fumio
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
19.
4-Wavelength 25.8-Gbps directly modulated laser array of 1.3-#x03BC;m AlGaInAs distributed-reflector lasers
机译:
1.3微米AlGaInAs分布式反射器激光器的4波长25.8 Gbps直接调制激光器阵列
作者:
Simoyama T.
;
Matsuda M.
;
Okumura S.
;
Uetake A.
;
Ekawa M.
;
Yamamoto T.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
20.
High-speed temperature-stable 980-nm VCSELs
机译:
高速温度稳定的980nm VCSEL
作者:
Hofmann W.
;
Wolf P.
;
Moser P.
;
Larisch G.
;
Unrau W.
;
Mutig A.
;
Kroh M.
;
Bimberg D.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
21.
Plasmon nanolaser and circuit
机译:
等离子纳米激光器和电路
作者:
Ma R.-M.
;
Oulton R. F.
;
Yin X.-B.
;
Sorger V. J.
;
Bartal G.
;
Zhang X.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
22.
Nonlinear transmission of ultra-short pulses in an oscillating InA/InP quantum dot laser
机译:
振荡InA / InP量子点激光器中超短脉冲的非线性传输
作者:
Capua A.
;
Karni O.
;
Eisenstein G.
;
Franke D.
;
Kreissl J.
;
Kuenzel H.
;
Arsenijevic D.
;
Schmeckebier H.
;
Stubenrauch M.
;
Kleinert M.
;
Bimberg D.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
23.
Polariton lasers
机译:
极化子激光器
作者:
Grandjean Nicolas
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
24.
Polariton lasing in a ZnO-based microcavity up to 353K
机译:
高达353K的基于ZnO的微腔中的极化激射
作者:
Lai Ying-Yu
;
Lan Yu-Pin
;
Huang Si-Wei
;
Lu Tien-Chang
;
Wang Shing-Chung
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
25.
Quantum cascade laser emitting at 10.3 micron for detection of ammonia
机译:
发射10.3微米的量子级联激光以检测氨
作者:
Tsvid G.
;
Wang X.
;
Fan J.
;
Troccoli M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
26.
1.3 #x03BC;m QD surface emitting laser using polymer optical circuit
机译:
使用聚合物光学电路的1.3μmQD表面发射激光器
作者:
Amano T.
;
Sasaki F.
;
Ukita S.
;
Matsuoka Y.
;
Ma L.
;
Suzuki M.
;
Mochizuki H.
;
Aoyagi M.
;
Komori K.
;
Ido T.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
27.
High-frequency microwave signal generation using multi-transverse mode VCSELs subject to dual-beam optical injection
机译:
使用多横向模式VCSEL进行双光束光学注入的高频微波信号生成
作者:
Quirce A.
;
Valle A.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
28.
The dependence of the characteristic temperature of highly stacked InAs quantum dot laser diodes fabricated using a strain-compensation technique on stacking layer number
机译:
使用应变补偿技术制造的高度堆叠的InAs量子点激光二极管的特征温度对堆叠层数的依赖性
作者:
Akahane Kouichi
;
Yamamoto Naokatsu
;
Kawanishi Tetsuya
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
29.
Quantum dot — Microlasers with external feedback — A chaotic system close to the quantum limit
机译:
量子点-具有外部反馈的微激光-接近量子极限的混沌系统
作者:
Albert F.
;
Hopfmann C.
;
Schneider C.
;
Hofling S.
;
Worschech L.
;
Kamp M.
;
Kinzel W.
;
Forchel A.
;
Reitzenstein S.
;
Kanter I.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
30.
Individual optimization of InAlGaAsP-InP sections for 1.55-#x03BC;m passively mode-locked lasers
机译:
对1.55-μm被动锁模激光器的InAlGaAsP-InP截面进行单独优化
作者:
Kulkova Irina V.
;
Larsson David
;
Semenova Elizaveta S.
;
Yvind Kresten
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
31.
Semiconductor optical amplifiers operated as modulators with high extinction
机译:
半导体光放大器用作高消光调制器
作者:
Ackley Donald E.
;
Connolly John C.
;
Guenther Harald
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
32.
Hybrid quantum well/quantum dot active element for broad spectral bandwidth emitters and amplifiers
机译:
用于宽光谱带宽发射器和放大器的混合量子阱/量子点有源元件
作者:
Chen S.
;
Zhou K.
;
Zhang Z.
;
Wada O.
;
Childs D. T. D.
;
Kennedy K.
;
Hugues M.
;
Hogg R. A.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
33.
Gain characterization of electrically-pumped VECSELs
机译:
电泵VECSEL的增益特性
作者:
Pallmann W. P.
;
Mangold M.
;
Wittwer V. J.
;
Tilma B. W.
;
Moench H.
;
Gronenborn S.
;
Miller M.
;
Sudmeyer T.
;
Keller U.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
34.
Detailed stability map and bistability investigation for injection-locked Fabry-Perot semiconductor lasers
机译:
注入锁定法布里-珀罗半导体激光器的详细稳定性图和双稳态研究
作者:
Krstic M. M.
;
Masanovic M. L.
;
Crnjanski J. V.
;
Johansson L. A.
;
Coldren L. A.
;
Gvozdic D. M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
35.
Catastrophic optical bulk damage (COBD) — A new degradation mode in high power InGaAs-AlGaAs strained QW lasers
机译:
灾难性的光学大体积损伤(COBD)—高功率InGaAs-AlGaAs应变QW激光器中的新降解模式
作者:
Sin Yongkun
;
Presser Nathan
;
LaLumondiere Stephen
;
Ives Neal
;
Lotshaw William
;
Moss Steven C.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
36.
Evidence of gain modulation in km-long lasers
机译:
公里长激光器中增益调制的证据
作者:
Brenot R.
;
Barbet S.
;
Make D.
;
Fortin C.
;
Lelarge F.
;
Pommereau F.
;
Martin F.
;
Poingt F.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
37.
Bistability and switching with very high contrast ratio in an optically-injected 1550nm-QDash Fabry-Perot laser
机译:
光学注入的1550nm-QDash Fabry-Perot激光器中的双稳态和具有很高对比度的切换
作者:
Hurtado A.
;
Nami M.
;
Henning I. D.
;
Adams M. J.
;
Lester L. F.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
38.
Evaluating InAs QD lasers for space borne applications
机译:
评估用于航天应用的InAs QD激光器
作者:
ODriscoll I.
;
Blood P.
;
Sobiesierski A.
;
Gwilliam R.
;
Smowton P. M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
39.
110 #x00B0;C operation of monolithic quantum dot passively mode-locked lasers
机译:
单片量子点无源锁模激光器的110°C操作
作者:
Mee J. K.
;
Crowley M. T.
;
Patel N.
;
Murrell D.
;
Raghunathan R.
;
Aboketaf A.
;
Elshaari A.
;
Preble S. F.
;
Ampadu P.
;
Lester L. F.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
40.
Simultaneous green and red lasing in a single CdSSe heterostructure nanosheet at room temperature
机译:
在室温下在单个CdSSe异质结构纳米片中同时发生绿色和红色激光发射
作者:
Fan F.
;
Liu Z. C.
;
Yin L. J.
;
Ning H.
;
Turkdogan S.
;
Nichols P. L.
;
Ning C. Z.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
41.
Pure-green high-power CW operation of BeZnCdSe quantum-well laser diodes
机译:
BeZnCdSe量子阱激光二极管的纯绿色大功率连续波操作
作者:
Fujisaki Sumiko
;
Kasai Jun-ichi
;
Akimoto Ryouich
;
Tanaka Shigehisa
;
Tsuji Shinji
;
Hasama Toshifumi
;
Ishikawa Hiroshi
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
42.
1550 nm AlGaInAs/InP widely tunable BH laser based on arrayed DFB
机译:
基于阵列DFB的1550 nm AlGaInAs / InP宽可调BH激光器
作者:
Iwai N.
;
Wakaba M.
;
Kobayakawa M.
;
Kiyota K.
;
Kurobe T.
;
Kobayashi G.
;
Kimoto T.
;
Tamura S.
;
Mukaihara T.
;
Yokouchi N.
;
Ishii H.
;
Kasukawa A.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
43.
MEMS tunable 1550-nm high contrast grating VCSEL
机译:
MEMS可调谐1550 nm高对比度光栅VCSEL
作者:
Rao Y.
;
Chase C.
;
Huang M. C. Y.
;
Khaleghi S.
;
Chitgarha M. R.
;
Ziyadi M.
;
Worland D. P.
;
Willner A. E.
;
Chang-Hasnain C. J.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
44.
Multi-spectral investigation of bulk and facet failures in high-power single emitters at 980 nm
机译:
大功率单发射器在980 nm的体积和刻面故障的多光谱研究
作者:
Yanson Dan
;
Cohen Shalom
;
Levy Moshe
;
Shamay Moshe
;
Geva Sara
;
Berk Yuri
;
Tesler Renana
;
Klumel Genadi
;
Rappaport Noam
;
Karni Yoram
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
45.
Characterization of recombination processes in quantum dot lasers using small signal modulation
机译:
使用小信号调制的量子点激光器中重组过程的表征
作者:
Zhou K.
;
Wada O.
;
Chen S.
;
Zhang Z.
;
Childs D. T. D.
;
Kennedy K.
;
Hogg R. A.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
46.
700nm InP quantum dot lasers with strained confinement layers
机译:
具有应变限制层的700nm InP量子点激光器
作者:
Elliott Stella N.
;
Smowton Peter M.
;
Krysa Andrey B.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
47.
Phase tuning in coherently coupled VCSEL array
机译:
相干耦合VCSEL阵列中的相位调整
作者:
Johnson Matthew T.
;
Siriani Dominic F.
;
Choquette Kent D.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
48.
Room-temperature continuous-wave operation of a 1.3-#x03BC;m npn-AlGaInAs/InP transistor laser
机译:
1.3μmnpn-AlGaInAs / InP晶体管激光器的室温连续波工作
作者:
Sato Noriaki
;
Shirao Mizuki
;
Sato Takashi
;
Yukinari Masashi
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Amemiya Tomohiro
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
49.
Sub-kHz linewidth GaSb semiconductor diode lasers operating near 2 #x03BC;m
机译:
亚kHz线宽GaSb半导体二极管激光器工作在2μm附近
作者:
Bagheri Mahmood
;
Briggs Ryan M.
;
Frez Clifford
;
Ksendzov Alexander
;
Forouhar Siamak
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
50.
Reliability of hybrid III-V on Si distributed feedback lasers
机译:
混合III-V在Si分布式反馈激光器上的可靠性
作者:
Srinivasan Sudharsanan
;
Bowers John E.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
51.
Theory of laser gain in a Ge-on-Si laser
机译:
Ge-on-Si激光器中的激光增益理论
作者:
Chow W. W.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
52.
CMOS integrated light source for interconnection (Invited)
机译:
用于互连的CMOS集成光源(已邀请)
作者:
Tsuji Shinji
;
Adachi Koichiro
;
Shinoda Kazunori
;
Takemoto Takashi
;
Yuki Fumio
;
Yamashita Hiroki
;
Kitatani Takeshi
;
Kawamura Daichi
;
Lee Yong
;
Sugawara Toshiki
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
53.
Ultra-low threshold current CW operation of photonic crystal nanocavity laser with InAlAs sacrificial layer
机译:
InAlAs牺牲层的光子晶体纳米腔激光器的超低阈值电流连续波操作
作者:
Sato Tomonari
;
Takeda Koji
;
Shinya Akihiko
;
Nozaki Kengo
;
Taniyama Hideaki
;
Hasebe Koichi
;
Kakitsuka Takaaki
;
Notomi Masaya
;
Matsuo Shinji
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
54.
Digital modulation at 20 GBit/s of an InAs/InGaAlAs/InP quantum dot laser operating in the telecom wavelength range
机译:
在电信波长范围内工作的InAs / InGaAlAs / InP量子点激光器的20 GBit / s的数字调制
作者:
Ivanov V.
;
Gilfert C.
;
Schnabel F.
;
Rippien A.
;
Reithmaier J. P.
;
Gready D.
;
Eisenstein G.
;
Bornholdt C.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
55.
Variable repetition rate monolithically integrated mode-locked-laser-modulator-MOPA device
机译:
可变重复率单片集成锁模激光调制器-MOPA装置
作者:
Guo X.
;
Quarterman A. H.
;
Olle V. F.
;
Wonfor A.
;
Penty R. V.
;
White I. H.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
56.
InP photonic integrated circuit with on-chip monitors for optical beam steering
机译:
InP光子集成电路,带有用于光束控制的片上监视器
作者:
Guo Weihua
;
Binetti Pietro R. A.
;
Althouse Chad
;
Ambrosius Huub P. M. M.
;
Johansson Leif A.
;
Coldren Larry A.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
57.
Integrated dual-wavelength semiconductor laser systems for millimeter wave generation
机译:
集成的双波长半导体激光系统,用于生成毫米波
作者:
Corradi A.
;
Carpintero G.
;
Tilma B. W.
;
Smit M. K.
;
Bente E. A. J. M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
58.
#x003E;200 nm gain-bandwidth hybrid silicon laser array using quantum well intermixing
机译:
使用量子阱混合的> 200 nm增益带宽混合硅激光器阵列
作者:
Jain Siddharth R.
;
Sysak Matthew N.
;
Bowers John E.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
59.
Energy-efficient 1.3 #x03BC;m short-cavity VCSELs for 30 Gb/s error-free optical links
机译:
用于30 Gb / s无错光链路的高能效1.3μm短腔VCSEL
作者:
Muller Michael
;
Wolf Philip
;
Grundl Tobias
;
Grasse Christian
;
Rosskopf Jurgen
;
Hofmann Werner
;
Bimberg Dieter
;
Amann Markus-Christian
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
60.
Mid-infrared quantum cascade lasers combs for spectroscopy
机译:
光谱用中红外量子级联激光器梳
作者:
Foist J.
;
Hugi A.
;
Riedi S.
;
Bismuto A.
;
Hinkov B.
;
Gini E.
;
Blaser S.
;
Beck M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
61.
Room temperature CW operation of DFB quantum cascade lasers with wide wavelength coverage near 5.2 #x03BC;m
机译:
DFB量子级联激光器在5.2μm附近具有较宽的波长覆盖范围的室温CW操作
作者:
Xie Feng
;
Caneau Catherine
;
Leblanc Herve P.
;
Coleman Sean
;
Hughes Lawrence C.
;
Zah Chung-en
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
62.
Room temperature, continuous wave lasing in microcylinder and microring quantum dot laser diodes
机译:
室温,微圆柱体中的连续波激射和微环量子点激光二极管
作者:
Albert F.
;
Schlehahn A.
;
Langer F.
;
Schlereth T.
;
Pieczarka M.
;
Hofling S.
;
Reitzenstein S.
;
Kamp M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
63.
High-speed operation at 50 Gb/s and 60-km SMF transmission with 1.3-#x03BC;m InGaAlAs-based DML
机译:
借助基于InGaAlAs的1.3μmDML以50 Gb / s和60 km SMF传输进行高速操作
作者:
Kobayashi W.
;
Tadokoro T.
;
Ito T.
;
Fujisawa T.
;
Yamanaka T.
;
Shibata Y.
;
Kohtoku M.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
64.
High reliability 1.3-#x03BC;m buried heterostructure AlGaInAs-MQW DFB laser operated at 28-Gbit/s direct modulation
机译:
以28Gbit / s直接调制运行的高可靠性1.3μm埋入异质结构AlGaInAs-MQW DFB激光器
作者:
Yamasaki Yasuo
;
Kaida Noriaki
;
Takeuchi Tatsuya
;
Hasegawa Taro
;
Okada Nobumasa
;
Akiyama Kan
;
Chifune Gaishi
;
Onishi Yutaka
;
Uesaka Katsumi
;
Ikoma Nobuyuki
;
Fujii Takuya
;
Nakabayashi Takashi
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
65.
High power single-mode DFB laser diodes for 10xx nm spectral range
机译:
高功率单模DFB激光二极管,适用于10xx nm光谱范围
作者:
Zibik E. A.
;
Bertrand A.
;
Kaiser W.
;
Sverdlov B.
;
Boucart J.
;
Thies A.
;
Davies I.
;
Inder D.
;
Button C.
;
Hernandez Y.
;
Lichtenstein N.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
66.
High-power and high-efficiency 915 nm broad-area laser diodes with window structure
机译:
具有窗口结构的高功率和高效率915 nm广域激光二极管
作者:
Morita Takenori
;
Nagakura Takehito
;
Torii Kousuke
;
Takauji Motoki
;
Maeda Junya
;
Miyamoto Masahiro
;
Miyajima Hirofumi
;
Yoshida Harumasa
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
67.
Electrically driven photonic crystal nanocavity laser
机译:
电驱动光子晶体纳米腔激光器
作者:
Matsuo Shinji
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
68.
Widely tunable, polarization stable BCB MEMS VCSELs with SWG integration based on InP at 1.55 #x03BC;m
机译:
具有基于InP的1.55μmSWG集成的可广泛调谐,偏振稳定的BCB MEMS VCSEL
作者:
Gruendl T.
;
Zogal K.
;
Debernardi P.
;
Grasse C.
;
Geiger K.
;
Boehm G.
;
Meyer R.
;
Amann M.-C.
;
Meissner P.
;
Kueppers F.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
69.
Photonic crystal surface emitting lasers based on epitaxial regrowth
机译:
基于外延再生的光子晶体表面发射激光器
作者:
Taylor R. J. E.
;
Williams D. M.
;
Groom K. M.
;
Childs D. T. D.
;
Stevens B. J.
;
Roberts T.
;
Khamas S.
;
Hogg R. A.
;
Ikeda N.
;
Sugimoto Y.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
70.
25 Gb/s operation of oxide-confined 850-nm VCSELs with ultralow 56 fJ dissipated power per bit
机译:
氧化物受限的850-nm VCSEL以25 Gb / s的速度运行,每位耗散功率超低56 fJ
作者:
Moser P.
;
Lott J. A.
;
Wolf P.
;
Larisch G.
;
Ledentsov N. N.
;
Bimberg D.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
71.
Electro-thermal single-mode tuning in field-induced charge-separation lasers
机译:
场致电荷分离激光器中的电热单模调谐
作者:
Lin Chin-Han
;
Zheng Yan
;
Johansson Leif A.
;
Rodwell Mark J. W.
;
Coldren Larry A.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
72.
Pushing the output powers of transversal multimode VECSELs beyond the 100 W barrier
机译:
将横向多模VECSEL的输出功率推到100 W以上
作者:
Heinen B.
;
Wang T.-L.
;
Sparenberg M.
;
Weber A.
;
Kunert B.
;
Hader J.
;
Koch S. W.
;
Moloney J. V.
;
Koch M.
;
Stolz W.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
73.
Unambiguous demonstration of room temperature CW operation of a sub-wavelength metallic cavity laser
机译:
亚波长金属腔激光器室温连续波操作的明确演示
作者:
Ding K.
;
Hill M. T.
;
Liu Z. C.
;
Yin L. J.
;
van Veldhoven P. J.
;
Ning C. Z.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
74.
Enhancement of photon emission rate in antenna-coupled nanoLEDs
机译:
增强天线耦合nanoLED的光子发射率
作者:
Eggleston Michael
;
Kumar Nikhil
;
Zhang Liming
;
Yablonovitch Eli
;
Wu Ming C.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
75.
High speed VCSELs for energy-efficient data transmission
机译:
高速VCSEL用于节能数据传输
作者:
Ledentsov N. N.
;
Lott J. A.
;
Wolf P.
;
Moser P.
;
Kropp J. R.
;
Bimberg D.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
76.
Elliptical injection of a 1550nm-VCSEL: Theory and experiment
机译:
椭圆注入1550nm-VCSEL:理论与实验
作者:
Al-Seyab R.
;
Schires K.
;
Hurtado A.
;
Henning I. D.
;
Adams M. J.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
77.
High-power optically pumped femtosecond VECSELs
机译:
大功率光泵浦飞秒VECSEL
作者:
Mangold M.
;
Sieber O. D.
;
Wittwer V. J.
;
Hoffmann M.
;
Golling M.
;
Sudmeyer T.
;
Keller U.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
78.
The effect of p-doping in InP/AlGaInP quantum dot lasers
机译:
InP / AlGaInP量子点激光器中p掺杂的影响
作者:
Al-Ghamdi M. S.
;
Smowton P. M.
;
Krysa A. B.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
79.
Carrier leakage in interband cascade lasers
机译:
带间级联激光器中的载波泄漏
作者:
Amirloo Jeyran
;
Towner Fred J.
;
Saini Simarjeet
;
Dagenais Mario
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
80.
Compact Bragg reflector waveguide modulator based on VCSEL structure with low driving voltage below 0.5 V
机译:
基于VCSEL结构的紧凑型布拉格反射器波导调制器,具有低于0.5 V的低驱动电压
作者:
Gu Xiaodong
;
Shimada Toshikazu
;
Shimizu Shouki
;
Matsutani Akihiro
;
Koyama Fumio
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
81.
Effect of applied bias voltage on the static and dynamic characteristics of self-pulsating multi-section InGaN-based laser diode
机译:
施加的偏置电压对自脉冲多截面InGaN基激光二极管静态和动态特性的影响
作者:
Sulmoni L.
;
Lamy J.-M.
;
Carlin J.-F.
;
Zeng X.
;
Boiko D. L.
;
Grandjean N.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
82.
Size dependence of quantum-dot metal-cavity surface-emitting microlaser
机译:
量子点金属腔表面发射微激光器的尺寸依赖性
作者:
Lu Chien-Yao
;
Zhang Meng
;
Chuang Shun Lien
;
Stock Erik
;
Bimberg Dieter
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
83.
Coupled semiconductor ring lasers
机译:
耦合半导体环形激光器
作者:
Coomans W.
;
Gelens L.
;
Van der Sande G.
;
Mezosi G.
;
Sorel M.
;
Verschaffelt G.
;
Danckaert J.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
84.
Two-dimensional antiguided vertical cavity surface emitting laser arrays with reflecting boundary
机译:
具有反射边界的二维反导垂直腔面发射激光器阵列
作者:
Napartovich A. P.
;
Elkin N. N.
;
Vysotsky D. V.
;
Mao S.
;
Kirch J.
;
Wang X.
;
Mawst Luke J.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
85.
High threshold modal gain based on highly stacked InGaAs quantum dot laser diode
机译:
基于高度堆叠的InGaAs量子点激光二极管的高阈值模态增益
作者:
Tanoue F.
;
Sugawara H.
;
Akahane K.
;
Yamamoto N.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
86.
III-V/Si distributed feedback laser with sidewall modulated grating
机译:
具有侧壁调制光栅的III-V / Si分布式反馈激光器
作者:
Bondarenko Olesya
;
Gu Qing
;
Kats Michael
;
Slutsky Boris
;
Fainman Yeshaiahu
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
87.
Modulation bandwidth of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser
机译:
GaInAsP / InP横向电流注入膜激光器的调制带宽
作者:
Shindo Takahiko
;
Futami Mitsuaki
;
Doi Kyohei
;
Amemiya Tomohiro
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
88.
830nm graded index double barrier separate confinement heterostructure laser diodes with small vertical divergence and temperature insensitive characteristics
机译:
具有小的垂直发散和对温度不敏感的特性的830nm渐变折射率双势垒分离限制异质结构激光二极管
作者:
Hung Chih-Tsang
;
Ho Tsong-Lin
;
Lu Tien-Chang
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
89.
Achieving temperature-insensitive #x03BB; in InP quantum dot lasers
机译:
在InP量子点激光器中实现对温度不敏感的λ
作者:
Shutts S.
;
Smowton P. M.
;
Krysa A. B.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
90.
Dual-#x03BB; InP/AlGaInP quantum dot laser
机译:
双λInP / AlGaInP量子点激光器
作者:
Shutts S.
;
Smowton P. M.
;
Krysa A. B.
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
91.
1.3-#x03BC;m-range InGaAs metamorphic laser for low power consumption operation
机译:
1.3μm范围的InGaAs变质激光器,低功耗运行
作者:
Arai Masakazu
;
Kobayashi Wataru
;
Kohtoku Masaki
会议名称:
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference.》
|
2012年
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