首页> 外文会议>2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference. >The effect of p-doping in InP/AlGaInP quantum dot lasers
【24h】

The effect of p-doping in InP/AlGaInP quantum dot lasers

机译:InP / AlGaInP量子点激光器中p掺杂的影响

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摘要

We measure optical gain and absorption spectra for structures with different p-doping level. Results show an increase in maximum modal gain at fixed quasi-Fermi level separation and high defect number in the high p-doped structure.
机译:我们测量具有不同p掺杂水平的结构的光学增益和吸收光谱。结果表明,在固定的准费米能级分离下,最大模态增益增加;在高p掺杂的结构中,缺陷数增加。

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