机译:InP / AlGaInP量子点激光器在638 nm处发射
Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflachen and Research Center SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Cermany;
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A1. Low dimensional structures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Solid state lasers;
机译:低阈值InP / AIGalnP量子点面内激光发射波长638 nm
机译:InP / AlGaInP量子点激光二极管在660 nm处发射的光学增益和激光发射特性
机译:嵌入InP / AlGaInP量子点的电泵浦红色发射VCSEL的生长和表征
机译:InP / AlGaInP量子点激光器发出的短波长为660 nm
机译:基于砷化镓的量子点垂直腔面发射激光器和微腔发光二极管。
机译:InP / ZnS核/壳量子点的绿色合成用于无重金属的发光二极管
机译:Inp / alGaInp量子点激光异质结构的光学特性