RTI International 3040 Cornwallis Road, Research Triangle Park, NC 27709;
机译:用于三维堆叠集成电路(3D-SIC)架构的铜硅通孔(TSV)的工艺评估和附着力评估
机译:3D互连:使用X射线显微镜观察各种温度下填充铜的硅通孔(TSV)中引起的挤压和空隙
机译:铜可塑性对3D集成电路的硅通孔(TSV)中硅中应力诱导的影响
机译:用于3D互连的无缺陷铜电镀和化学硅抛光通孔的集成工艺
机译:对3D集成电路中通过硅通孔的热应力和可靠性的缩放和微观结构效应
机译:使用化学机械抛光的集成电路芯片操纵哺乳动物的细胞形态
机译:搅拌对无硅通孔缺陷填充的影响