Northrop Grumman Space Technology One Space Park, R6/2134, Redondo Beach, CA 90278;
机译:高质量6H-SiC(0001)同质外延层作为AlN外延层生长的衬底表面
机译:SixNy中间层对通过MOCVD在Si(111)衬底上生长的GaN外延层质量的影响
机译:通过将Mg离子注入形成在高质量自支撑GaN衬底上的n〜-GaN外延层中形成确定的GaN p-n结
机译:基材缺陷对外延层质量的影响
机译:超声评估不完美各向异性层状基材中的界面特性。
机译:蓝宝石/铂上脉冲激光沉积生长的LuFeO3外延层的结构质量
机译:Si(x)N(y)中间层对通过MOCVD在Si(111)衬底上生长的GaN外延层质量的影响
机译:在蓝宝石衬底上生长的高质量氮化铝外延层