机译:用于射频应用的高温下SiGe HBT的线性和功率特性
机译:第四代90nm SiGe BiCMOS技术中SiGe HBT的低温RF线性
机译:采用IM3消除技术的低功耗,高线性SiGe HBT低噪声放大器
机译:用于低功耗RFIC设计的SiGe HBT的射频线性研究。二。分析
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:西罗莫司(PERFORMUS)治疗大量复杂的浅表缓慢流动性血管畸形:一项多中心2期临床试验方案随机观察阶段设计
机译:基于虚拟衬底的微波功率SiGe HBT和新型SiGe HPT的设计与制造