Design and fabrication of microwave power SiGe HBT and novel SiGe HPT based on virtual substrate

摘要

随着无线通信和光纤通信技术的发展与融合，对组成通信系统的光电子器件性能和成本的要求日益提高。传统的Si材料器件以其成熟的工艺技术具有高集成和低成本优势，但是由于受到Si材料自身特性和器件结构的限制，无法满足高速的要求。SiGe异质结晶体管(HBT)利用了能带工程和成熟的Si微电子工艺，频率特性得到了质的飞跃，在无线通信领域得到了广泛应用；与此同时，引入具有内部增益的SiGe异质结光晶体管(HPT)，发挥与SiGeHBT结构工艺完全兼容的优势，拓展了Si基材料和器件在光纤通信领域的应用。但是，SiGeHPT由于吸收区Ge组分和厚度受到Si衬底的限制，在光纤通信波段无法获得较高的响应度。本文以提高...