ISRO Satellite Centre, Airport Road, Bangalore - 560017;
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机译:有源ESD保护电路设计,针对CMOS集成电路中的充电设备模型ESD事件
机译:具有有效VDD至VSS ESD钳位电路的全芯片ESD保护设计,用于亚微米CMOS VLSI
机译:低压薄氧化物CMOS技术中带有耐压电源轨ESD钳位电路的混合电压I / O接口的ESD保护设计概述
机译:CMOS IC的外部ESD保护电路的响应仿真
机译:CMOS技术中EOS / ESD保护电路的建模仿真和设计指南
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:设计避免深亚微米CmOs工艺中对EsD保护电路的过栅驱动效应
机译:使用α粒子敏感测试电路表征CmOs电路的镦粗响应的方法