薄膜厚度对节瘤损伤特性的影响研究

摘要

本文运用离子束辅助技术(IAD)在人工植入2umSiO2小球的基板上镀制两种不同厚度薄膜，对比薄膜中节瘤的损伤特性，发现膜厚对节瘤损伤特性有显著影响。这两种厚度的薄膜中电场分布和吸收相近，但是厚度大(约是2倍)的薄膜中，对节瘤界面有修补作用。使用1064nm脉冲激光(脉宽10ns)进行了统计性的Raster Scan扫描测量。发现厚度大的薄膜中节瘤的初始损伤阈值更高(约为2倍)，损伤过程相对缓慢。这说明对于2um直径的SiO2种子源，在我们考察的厚度范围之内，膜厚对节瘤损伤特性有明显的改善作用，使其抗激光辐照的稳定性也增强，初始损伤阈值随之提高。