0.5μm GaN HEMT及其可靠性

摘要

文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段及以下频段应用要求.1.25mm栅宽GaN HEMT在2GHz、28V工作电压下进行负载牵引测试,最佳功率匹配时功率附加效率70％,对应输出功率以及功率增益分别为36.4dBm和15dB.对1.25mm栅宽器件在28V工作电压下的直流三温加速寿命得到器件激活能和150℃结温下平均失效时间(MTTF)分别为1.51eV和1.8×107小时.对研制的L波段GaN功率管开展了射频过载寿命试验,150℃结温、3dB过载下工作1000小时器件输出功率下降小于0.2dB.