机译:使用NH3等离子体和微波退火改进了5nm HF0.5ZR0.5O2铁电技术中的TDDB可靠性和接口状态
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan;
Scripps Res Inst Hsinchu 30078 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan|Univ Calif Berkeley Dept Elect Engn & Comp Sci Berkeley CA 94720 USA;
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan;
Ammonia treatment; ferroelectricity; hafnium zirconium oxide; interface state density; time-dependent dielectric breakdown (TDDB);
机译:在低温(350°C)退火过程下基于HF0.5ZR0.5O2的三层电容器的铁电增强
机译:形成气体炉退火对HF0.5 ZR0.5O2薄膜铁电性和唤醒效果的影响
机译:高压退火综合研究HF0.5ZR0.5O2薄膜铁电性能
机译:对现场循环铁电HF0.5ZR0.5O2薄膜故障机制的深入见解:TDDB表征和第一原理计算
机译:在BTI和TDDB降级的情况下提高微处理器的可靠性。
机译:聚四氟乙烯(PTFE)粉末的低压H2NH3微波等离子体处理:化学热和润湿性分析
机译:在BTI和TDDB降级的情况下提高微处理器的可靠性
机译:生物技术开辟了高性能材料的新途径,用于改进光伏,电池,非制冷红外探测器,铁电体和光学应用;会议文件与简报图表