多孔硅是一种具有以纳米硅原子簇为骨架的海绵状结构的新型功能材料,它有着极其丰富的形貌特征,而且与本征硅的性质有很大的差异,如具有大比表面积,高电阻率以及很高的化学和生物活性等,多孔硅的这种特殊形貌使它在很多领域都具有潜在应用价值。自1990年L. T. Canham首次发现了多孔硅的发光性能后,不同的研究小组对基于多孔硅的全硅光电子器件、能源和含能材料等进行了广泛而深入的研究.目前,多孔硅的制备方法有多种。为了能使制备过程中多孔硅腐蚀均匀,本文拟采用化学浸蚀法研究不同H<,2>SO<,4>浓度对多孔硅粉形貌和比表面积影响。
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