网格状碳纳米管场发射阵列的研究

摘要

在大电流密度真空微电子器件的制备中，对于碳纳米管发射阴极阵列的分布均匀性和取向性要求较 高。由于具有成本低，制备方法简单的特点，因此目前多采用热气相化学沉淀法制备定向碳纳米管阵列 来满足此需求。然而研究发现，阵列单元直径较小的碳纳米管阵列的取向性很差，大部分碳纳米管簇并不是垂直于衬底，而呈倒伏状。虽然可以通过等离子增强的气相化学沉淀法来改进其取向性，然而却增加了成本。