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董鑫; 张源涛; 张宝林; 赵旺; 李香萍; 杜国同;
中国电子学会;
广州市科协;
金属有机化学汽相沉积; 氧化锌; 同质结; 电致发光光谱; I-V特性; 发光二极管;
机译:MOCVD制备高质量非多孔ZnO薄膜的同质外延生长以及通过XRD测量不对称平面对同质外延ZnO薄膜的评估
机译:p型ZnO的特性:通过安瓿管法和ZnO p-n同质结制备的薄膜
机译:用安瓿管法和ZnO p–n同质结制备的p型ZnO:As薄膜的特性
机译:MOCVD法溅射载体Tm,Yb共加成ZnO纳米线结构的制备及发射特性
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:通过分子束外延-A化学惰性界面制备的ZnO / SiC同质异质结具有明显的谱带不连续性
机译:ECR-mOCVD制备聚对苯二甲酸乙二醇酯(pET)衬底上snOx-ZnO复合薄膜的特性
机译:通过LpE和mOCVD技术的p / N Inp同质结太阳能电池
机译:基于ZnO的p-n同质连接结构以及基于ZnO的p-n同质连接结构的制造方法
机译:MOCVD法沉积有机锌前驱体和ZnO薄膜
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