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微波GaAs FET/pHEMT器件的噪声模拟

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本文提出一种FET/pHEMT器件噪声特性参数的模拟计算方法.该方法利用Pospieszalski的温度噪声模型,假设沟道热噪声的能量与漏电流Id和沟道电导l/Rds线性相关,推出器件的本征噪声源配置模型.利用H.Hillband的噪声相关矩阵计算器件噪声参数.对器件ATF10100进行了噪声参数实测,与模拟计算参数进行比较,结果显示该计算方法非常有效.

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来源
《中国电子学会第十一届青年学术年会》|2005年|1016-1019|共4页
会议地点济南
作者
刘章文; 中物院应用电子学研究所; 蒋毅; 古天祥;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类振动、噪声及其控制;
关键词
FET; 噪声模型; 噪声测量; 级联噪声矩阵; 微波;

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