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GaAs MESFET电压驱动器

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采用射频GaAs集成电路的技术,开发GaAsMESFET低功耗电压驱动器电路,电路采用3英寸0.5um栅长GaAs圆片工艺,单路TTL电平输入,输出两路互补的电压信号.高电平0.2V,低电平-4.1V,驱动器工作电流0.7mA.

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来源
《2005全国微波毫米波会议》|2006年|1386-1388|共3页
会议地点深圳
作者
陈新宇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
砷化镓; MESFET; 驱动器; 集成电路; 电压;

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