机译:低于1 V电源电压GaAs异质结FET LSI的高速低功耗三态驱动器触发器
Microelectronics Research Laboratories;
flip-flop; low supply voltage; heterojunction FET; LSIs; high-speed; low-power consumption; GaAs; noise margin;
机译:高速低功耗三态驱动器触发器,用于超低电源电压GaAs异质结FET LSI
机译:基于0.25μmE / D-HJFET(IS〜3Ts)的低于1 V电源电压GaAs LSI技术
机译:低压,低功耗,高速0.25μmGaAs HEMT延迟触发器
机译:用于超低电源电压GaAs异质结FET LSI的新型高速低功耗三态驱动器触发器(TD-FF)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:打破功耗延迟的折衷方案:设计低电源电压的低功耗高速MOS电流模式逻辑电路
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模