不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究

摘要

分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET