用作硅基微型声传感器的Si<,3>N<,4>/SiO<,2>双层驻极体膜微型化后的电荷稳定性

摘要

通过平面工艺和微机械加工技术将硅基Si<,3>N<,4>/SiO<,2>双层驻极体膜制作成2mm×2mm的小片,通过电晕充电及等温表面电位衰减测量,考察了微型化对材料的电荷储存稳定性的影响.研究材料在模拟的高温常湿、常温高湿恶劣储存环境(ET=125°C、EH=93℅)中的电荷稳定性.同时对比考察了HMDS和DCDMS两种不同化学表面修正试剂对材料电荷储存稳定性的影响.