一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修正工艺

摘要

本发明为一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修饰工艺。它利用带抽气阀门的玻璃容器，其底部放置试剂HMDS或DCDMS，上面放置待处理的含SiO2或Si3N4/SiO2驻极体薄膜的Si片，在试剂的纯饱和蒸汽下，进行气相反应，避免水或其它活性物质对薄膜表面的污染，本发明工艺可以明显改善SiO2、Si3N4/SiO2的驻极态，确保电荷储存的稳定性。