法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04R 31/00 授权公告日:20100512 终止日期:20130624 申请日:20040624
专利权的终止
2011-12-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H04R 31/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20040624
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-05-12
授权
授权
2007-09-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-16
公开
公开
机译: 使用新颖的两温工艺改善跨硅/氧化物/多晶硅表面的硅锗膜的电连续性的方法
机译: 使用新颖的两温工艺改善跨硅/氧化物/多晶硅表面的硅锗膜的电连续性的方法
机译: 用于硅树脂膜的内表面和外表面具有不同粗糙度的化学机械抛光装置的硅膜