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王岩国;
中国物理学会;
氮化镓薄膜; 失配位错; 外延生长薄膜; 透射电镜;
机译:斜桥外延生长氮化镓薄膜中位错减少的机理
机译:反桥外延法生长氮化镓薄膜中的位错减少机理
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:外延Ni / Cu双层和Cu / Ni / Cu三层薄膜中的错配位错
机译:蓝宝石上的氮化镓薄膜通过横向外延过生长来减少螺纹位错。
机译:PbTiO3 / SrTiO3外延薄膜中铁电畴的构型和局部弹性相互作用以及失配位错
机译:使用新型种子层和可控成核作用,减少金属有机气相外延生长的氮化镓中的位错
机译:用磷酸和熔融氢氧化钾分子束外延生长氮化镓中位错蚀刻坑的观察与研究
机译:通过部分或完全松弛的错配位错的铝铟镓氮化物层控制半极性氮化物量子阱中的各向异性应变
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
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