利用少子寿命仪对多晶硅缺陷的快速量化表征

摘要

多晶硅晶体缺陷对电池转换效率有重要的影响.传统的测试晶体缺陷的方法为金相显微镜法,该方法测试过程繁琐,结果误差较大,很难实现对晶体缺陷的快速量化表征.本文利用μ-PCD(微波光电导)少子寿命测试仪对多晶硅进行测试,得到少子寿命图;对多晶硅块进行腐蚀,得到腐蚀图;以及使用PL对硅块进行测试.发现几者呈现非常好的对应关系.研究表明少子寿命图上“花纹”(条状低少子区域)可以表征位错.进一步的研究表明少子寿命花纹比例的高低与电池效率的高低一一对应.通过现有的少子寿命图,设计软件,提取花纹比例,即可以实现多晶硅缺陷的量化.本文首次提出了一种新的多晶硅缺陷的快速量化表征的方法,特别是适合于大规模工业在线测试.