GaN基激光器微分电阻的研究

摘要

本文通过数字计算分析研究了CaN基激光器的微分电阻随电流的变化.首先,本文确认了微分电阻曲线中"kink",的存在,并给出了一个合理的解释.由于大多数人对于微分电阻解释的基础是肖克莱方程,但肖克莱方程是针对单个pn结提出的.实际上,对于多层结构的激光器而言,在同质结和异质结界面存在许多寄生的二极管,因此仅仅用肖克莱方程解释激光器微分电阻曲线是不确切的，精确解释微分电阻曲线的唯一办法是求解泊松方程和电流连续性方程，进而求得Ⅳ关系。其次，本文发现GaN基激光器的极化能影响“kink”的极性。本研究利用Lastip软件计算了有极化效应c-LDs和无极化效应m-LDs的激光器，计算的(a) m-LDs和(b)c-LDs的dV/dl与PI曲线，插图为实际测量的405nm的激光器的dV/dl与PI曲线。图1说明了m-LDs和c-LDs的微分电阻曲线都存在“kink”，而且两者的极性相反，即m-LDs中“kink”的极性向下，c-LDs中“kink”的极性向上。