GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討(Ⅲ)

摘要

フォトニック結晶面発光レーザ(PCSEL)は活性層近傍に配置した2次元フォトニック 結晶を2次元共振器として用いる半導体レーザで、原理的に大面積単一モード発振が可能であり 高出力·高ビーム品質の両立が可能な光源と言える。短波長化を目的としてGaN系材料のPCSEL の作製が試みられ、初期的な発振動作が確認されているが、閾値電流密度が高く、出力が弱い などの課題がある。我々は低閾値での発振動作の実現に向けて、活性層とフォトニック結晶との 距離（埋め込み層厚）を薄くすることを試み、埋め込み層厚を100 nm程度まで薄くすることに成 功している。今回は、より薄い埋め込み層厚でフォトニック結晶を埋め込むために、空孔の埋 め込み成長方法について詳細検討を行ったので報告する。